"évaporation par faisceau électronique" meaning in Français

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          "text": "A titre de comparaison, notons que les valeurs du coefficient R trouvées par V. Stary et al. [32] pour les couches minces de Ni déposées par évaporation par faisceau électronique sur des substrats de mica et pour une épaisseur t = 4 nm, sont comprises entre 0.3 et 0.7, après un traitement thermique."
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          "text": "À titre de comparaison, on peut noter que des couches minces de platine (Pt) ayant une épaisseur d'environ 10 nm, fabriquées dans les conditions optimales à l’aide de la méthode d’évaporation par faisceau électronique, augmentent la rugosité du substrat de silicium (Si) de 0.28 - 0.6 mm [12]. Il est à noter que les surfaces des couches fabriquées par pulvérisation ont généralement une rugosité plus petite que celles fabriquées à l’aide de la méthode d’évaporation par faisceau électronique [12]."
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        "Variante de évaporation par faisceau d’électrons (cf. pour autres informations) : évaporation sous vide, où le chauffage de la matière à déposer se fait par faisceau électronique."
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